蝕刻製程虛擬量測
製程監控透過 OES 與電壓電流感測數據，建立 AI 蝕刻模型，精確預測 AEI 輪廓與蝕刻偏差，並由生成式 AI 提供即時製程補償建議。
系統正常平均 R² = 0.825
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◌即時監測面板 — 預測型 AI 即時監測
蝕刻偏差 (Etch Bias)
30.00nm
實際值30.00 nm誤差0.00R²0.840信心度88%
AEI 輪廓品質
0.88
實際值0.88 誤差0.00R²0.810信心度85%
OES Channel 1 (Cl₂ 306nm)
500.00a.u.
範圍: 350.00 ~ 650.00
OES Channel 2 (Cl 838nm)
450.00a.u.
範圍: 300.00 ~ 600.00
OES Channel 3 (SiCl 288nm)
380.00a.u.
範圍: 250.00 ~ 520.00
OES Channel 4 (O 777nm)
520.00a.u.
範圍: 380.00 ~ 660.00
腔體電壓
-200.00V
範圍: -280.00 ~ -120.00
RF 電流
1.20A
範圍: 0.80 ~ 1.80
異常事件時間軸
依事件發生時間排序，追蹤預測型 AI 偵測、生成式 AI 分析與解除狀態。
尚無異常事件
預測指標未越過警戒門檻，時間軸保持待命。
決策支援面板 — 生成式 AI 分析
✓
系統正常運行中
生成式 AI 持續監控中，當即時監測面板偵測到異常時將自動啟動診斷與分析
感測器健康度
100% (6/6)
關鍵指標摘要
蝕刻偏差 (Etch Bias)30.00 nm
AEI 輪廓品質0.88
感測器即時數值
OES Channel 1 (Cl₂ 306nm)500.00 a.u.
OES Channel 2 (Cl 838nm)450.00 a.u.
OES Channel 3 (SiCl 288nm)380.00 a.u.
OES Channel 4 (O 777nm)520.00 a.u.
腔體電壓-200.00 V
RF 電流1.20 A
系統設定
知識庫乾蝕刻製程知識庫
AI 模型Claude Sonnet 4.6
監測頻率2s
閾值設定3 個規則