蝕刻製程虛擬量測
製程監控透過 OES 與電壓電流感測數據，建立 AI 蝕刻模型，精確預測 AEI 輪廓與蝕刻偏差，並由生成式 AI 提供即時製程補償建議。
系統正常平均 R² = 0.825
最後更新: 00:00:00
◌即時監測面板
蝕刻偏差 (Etch Bias)
30.00nm
實際值30.00 nm誤差0.00R²0.840信心度88%
AEI 輪廓品質
0.88
實際值0.88 誤差0.00R²0.810信心度85%
OES Channel 1 (Cl₂ 306nm)
500.00a.u.
範圍: 350.00 ~ 650.00
OES Channel 2 (Cl 838nm)
450.00a.u.
範圍: 300.00 ~ 600.00
OES Channel 3 (SiCl 288nm)
380.00a.u.
範圍: 250.00 ~ 520.00
OES Channel 4 (O 777nm)
520.00a.u.
範圍: 380.00 ~ 660.00
腔體電壓
-200.00V
範圍: -280.00 ~ -120.00
RF 電流
1.20A
範圍: 0.80 ~ 1.80
決策支援面板
✓
系統正常
生成式 AI 持續監控中，當即時監測面板偵測到異常時將自動啟動診斷與分析。
感測器健康度
100% (8/8)
關鍵指標摘要
蝕刻偏差 (Etch Bias)30.00 nm
AEI 輪廓品質0.88
異常事件時間軸
尚無異常事件
系統設定
知識庫蝕刻製程虛擬量測 知識庫
AI 模型Claude Sonnet 4.6
監測頻率2s
閾值設定3 個規則