蝕刻製程虛擬量測
製程監控透過 OES 與電壓電流感測數據，建立 AI 蝕刻模型，精確預測 AEI 輪廓與蝕刻偏差，並由生成式 AI 提供即時製程補償建議。
系統正常平均 R² = 0.866
最後更新: 12:16:41
◌感官面板
蝕刻偏差 (Etch Bias)
28.35nm
閾值: 35 / 38
AEI 輪廓品質
0.87
閾值: 0.75 / 0.65
蝕刻偏差 (Etch Bias)
28.35nm
範圍: -15 - 88
AEI 輪廓品質
0.87
範圍: -49.25 - 50.65
OES Channel 1 (Cl₂ 306nm)
400.92a.u.
範圍: 470 - 650
OES Channel 2 (Cl 838nm)
441.74a.u.
範圍: 510 - 670
OES Channel 3 (SiCl 288nm)
374.36a.u.
範圍: 410 - 560
OES Channel 4 (O 777nm)
469a.u.
範圍: 510 - 670
大腦面板
✓
系統正常
AI 大腦持續監控中，當感官偵測到異常時將自動啟動診斷與分析。
感測器健康度
100% (8/8)
關鍵指標摘要
蝕刻偏差 (Etch Bias)28.35 nm
AEI 輪廓品質0.87
異常事件時間軸
尚無異常事件
系統設定
知識庫蝕刻製程虛擬量測 知識庫
AI 模型Claude Sonnet 4.6
監測頻率2s
最新事件無