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高氯離子環境下蝕刻速率下降的主因是 Cl⁻ 與 Cu²⁺ 形成穩定的 CuCl₄²⁻ 錯合物，降低了有效氧化劑濃度。當 Cl⁻ 超過 30ppm 時，蝕刻速率可能衰退 15-25%。 從實驗數據模型來看，氯離子(ppm) 是影響蝕刻速率的第一重要特徵（約 39.7%），遠超其他參數，這意味著抗氯策略是當前配方最關鍵的改善方向。

• 提高添加劑 F 濃度：添加劑 F 具有螯合 Cl⁻ 的能力，建議從 0.04 逐步提升至 0.08-0.10 g/100ml，觀察蝕刻速率回復程度。
• 添加劑 E 協同效應：在高 Cl⁻ 環境下，添加劑 E (0.2-0.4 g/100ml) 可提供緩衝作用，穩定銅離子氧化態，建議做 F×E 二因子實驗。
• 提高 H₂O₂ 補償氧化力：適度提高 H₂O₂ 至 6-8 vol% 可補償因 Cl⁻ 造成的氧化力下降，但需注意過高濃度會導致自分解。

• Cl⁻ 濃度梯度耐受性測試：固定配方 F=0.08, E=0.2，Cl⁻ 從 0 到 60ppm 每 10ppm 取點，繪製蝕刻速率衰退曲線，找出臨界閾值。
• F×E 抗氯交互作用 DOE：在 Cl⁻=40ppm 條件下，F (0.04-0.10) × E (0-0.40) 全因子實驗，以 RSM 找出最佳抗氯配方。