蝕刻液配方研發
抗氯型配方
以查表預測、知識比對與 AI 建議流程，協助研發人員快速評估配方在高氯離子環境下的蝕刻表現。
配方試算中樞
感官面板
蝕刻速率
3.20
μm/min
抗氯性
42
%
測試方式
品質預測
配方參數
大腦面板
根因分析
資料顯示高氯離子條件下，蝕刻速率最佳點落在中高 RF 功率與低比例添加劑 F 的區間。
建議方向
先以小步進提高 RF 功率，再視抗氯表現調整添加劑 F 與 E 的比例。
下一步實驗建議
固定槽溫 35°C，比較 RF 功率 620/640/660 與添加劑 F 0.04/0.06/0.08 的九宮格測試。
知識典籍
高氯離子蝕刻環境下的 RF 功率與添加劑平衡
102%
指出在高氯離子條件下，以中高 RF 功率搭配低比例添加劑 F，可提升蝕刻速率並降低側壁損傷。
高氯配方實驗的槽溫補償策略
87%
提出槽溫偏移補償方法，以降低批次間差異並穩定抗氯表現。